Sean_hn 学习笔录 博客园 首页 新随笔 联系 订阅 管理 2026年11月5日 一般充电器5V输出档的线损电压补偿加多少合适，行内一般补偿多少电压？ 摘要： 一句话结论（行业常规） 5V 档动态线补：按目标线阻来，主流消费手机充电器：满载补偿 0.2V～0.3V 最常见；保守款 0.15V；兼容劣质长线 / 车载款做到 0.3～0.4V，一般不建议超过 0.4V德州仪器 动态线补含义：空载 5.0V，电流越大电压抬得越高，ΔV = I × R_comp（ 阅读全文 posted @ 2026-11-05 09:50 Sean_hn 阅读(2) 评论(0) 推荐(0) 2026年9月19日 结构体数组 摘要： 结构体数组 一句话理解：结构体是描述一个对象的模板，结构体数组就是批量存放多个同类型对象。 比如：一个学生信息是结构体，全班几十个学生，就用结构体数组保存。 1. 结构体基础回顾（C 语言） // 定义结构体类型：学生 struct Student { int id; // 学号 char name 阅读全文 posted @ 2026-09-19 10:31 Sean_hn 阅读(26) 评论(0) 推荐(0) 2026年8月21日 HEX 和 BIN 文件区别 摘要： 两者都是单片机烧录常用文件，BIN 是纯二进制原始数据，HEX 是带地址、校验的文本格式。 1.BIN（Binary，二进制文件） 内容：就是芯片 Flash 里实实在在的原始二进制机器码，只有数据，没有地址信息。 格式：二进制，不是文本，记事本打开是乱码。 地址规则：文件第一个字节对应烧录起始地址 阅读全文 posted @ 2026-08-21 15:00 Sean_hn 阅读(76) 评论(0) 推荐(0) 2026年7月17日 普冉 PY32 系列 ESMC 接口完整详解 摘要： 一、全称与定义 ESMC = External Serial Memory Controller，外部串行存储控制器 是普冉（PUYA）PY32F403/PY32E407 等 Cortex-M4F 内核 MCU 内置的硬件专用串行存储总线控制器，对标 STM32 的 QSPI/Flash 接口、GD 阅读全文 posted @ 2026-07-17 13:52 Sean_hn 阅读(117) 评论(0) 推荐(0) 2026年7月13日 关于UVC UVA紫外LED的说明 摘要： 1. 270～280 nm（UVC 深紫外） 波段属于远紫外，远低于人眼可见光下限（可见光起始约 400nm） 光子能量极高，芯片本身不会发出任何肉眼可见光线 日常看到的微弱蓝光 / 紫光，是封装荧光胶、透镜被 UV 激发的微弱杂散光，不是 LED 本身发光，本身发光不可见。 用途：消毒、杀菌、水处 阅读全文 posted @ 2026-07-13 18:05 Sean_hn 阅读(81) 评论(0) 推荐(0) 磁珠三条曲线 Z、R、X 参数含义 摘要： 磁珠的阻抗是复数形式：，三条曲线分别对应复数阻抗的模、实部、虚部： 1. 蓝色 Z 曲线：总阻抗（Impedance / |Z|） 定义：磁珠对交流噪声的总阻碍作用，计算公式，是阻抗复数的模值。 工程意义：规格书标注的 “XXΩ@100MHz” 就是这个 Z 值，代表整体抑噪能力；曲线峰值代表该磁珠 阅读全文 posted @ 2026-07-13 17:55 Sean_hn 阅读(207) 评论(0) 推荐(0) 2026年7月8日 USB-C PD CC 线电压完整对照表（区分初始分压电流识别 & PD 通信协商电压档位） 摘要： 重要前置说明 CC 静态分压电压 ≠ PD 输出电压（9V/12V/15V/20V） CC 静态分压只用来识别线缆最大承载电流（500mA/1.5A/3A），不能直接判定 9/12/15/20V 高压；高压必须依靠 CC 线上BMC 数字 PD 通信报文协商后 VBUS 才升压。 基础电路模型： 供 阅读全文 posted @ 2026-07-08 17:25 Sean_hn 阅读(450) 评论(0) 推荐(0) 2026年7月2日 DC-DC降压电路中电感选型的5个常见误区 摘要： 一、引言 电感是DC-DC降压电路中最关键的储能和滤波元件，其选型正确与否直接影响电源的效率、纹波、EMI和可靠性。然而在实际工程中，许多工程师在电感选型上存在一些常见误区，导致设计性能不达标甚至芯片损坏。本文以欧创芯OC58650（8-100V/2A内置MOS/150KHz）为例，逐一剖析电感选型 阅读全文 posted @ 2026-07-02 18:39 Sean_hn 阅读(37) 评论(0) 推荐(0) 2026年6月6日 MICROSD CARD的MLC和SLC、TLC的区别。 摘要： MicroSD 卡的SLC、MLC、TLC 核心区别在于 闪存芯片的 “单存储单元可存储的比特数”，这直接决定了卡的 速度、寿命、稳定性和价格。三者的技术逻辑是 “单元存储比特数越多，成本越低，但性能和寿命越弱”，以下是详细对比和通俗解读： 一、核心定义：存储单元的 “比特容量” 差异 闪存芯片的最 阅读全文 posted @ 2026-06-06 12:10 Sean_hn 阅读(125) 评论(0) 推荐(0) 2026年5月20日 锂电池充电过温保护推荐值 摘要： 1. 充电禁止温度（最关键） 充电高温保护：≥ 45℃ 停止充电 充电低温保护：≤ 0℃ 停止充电 这是绝大多数锂电保护板、BMS、消费电子的标准阈值。2. 为什么是 45℃ 锂电池最佳充电温度：0℃～45℃ ＞45℃ 充电： 电解液分解加快鼓包、寿命衰减加速有安全风险。 45℃ 是兼顾安全与耐用的 阅读全文 posted @ 2026-05-20 10:20 Sean_hn 阅读(263) 评论(0) 推荐(0) 下一页 公告 博客园 © 2004-2026 浙公网安备 33010602011771号 浙ICP备2021040463号-3